Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных ...

Локальным идентированием экспериментально исследовано распределение механических напряжений в элементах эпитаксиальных структур в зависимости от их размеров и конфигурации. Определены минимальные размеры эпитаксиальных ...

Проведен расчет интегрального кремниевого гальвано­магнито­рекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную ...

Исследовано влияние локального анизотропного давления на кремниевую МОП-структуру. Предложена негатронная схема, преобразующая давление в частоту.

Описаны схемотехническое решение и принцип работы спектрофотометра для автоматического спектрального анализа жидких и твердых сред. Спектрофотометр позволяет минимизировать временные затраты, упростить эксплуатацию устройства, ...